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| 牌号 | 化学成分 | |||||||||||||||
| In含量 | 杂质，不大于,ppm | |||||||||||||||
| 不少于,% | Cu | Ag | Mg | Ni | Zn | Fe | Cd | As | Si | S | Al | Tl | Pb | Sn | Sum | |
| In99995 | 99.995 | 5 | - | - | - | 5 | 5 | 5 | 5 | - | - | 5 | 5 | 5.0 | 10 | 50 |
制造规格：0.5kg/锭或1kg/锭
用途：
主要用于制造ITO靶材或低温合金，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、高纯合金、超低温冷却晶体管基极、以及锗/硅单晶的掺杂剂、铟封、ITO、核幅射安全监控、电接触元件、焊料等。
物理形状：锭、粒。
物理性质：银白色金属，质软，展性好，延性差，四方晶系；原子量：114.818；熔点：156.61℃；沸点：2080℃；密度：7.31g/cm3(20℃)；导热率：82.06 w/(m•k)。
真空塑料袋包装
